前言

记得很久之前学过一点，RAM和ROM相关的物理知识。
貌似在材料物理性能上面学的，但是感觉已经是过去了很久很久的事情了，最近因为学习硬件安全的原因需要用的。
于是特地来复习一下

正文

1. RAM与ROM

储存器可以根据系统丢失电源后，数据是否会丢失分为两类：RAM（Random Access Memory）和 ROM（Read Only Memory）。其中：

RAM的访问速度快，可是丢失电源后数据将会丢失
ROM的访问速度较慢，但是丢失电源后不会丢失

RAM就是典型的计算机内存。除此之外，它们还有更具体的细致分工，将会在如下两节讲到。

2. RAM

RAM具体又可以分为SRAM（Static RAM）和DRAM（Dynamic RAM），也就是静态储存器和动态储存器。其中他们的区别是：

SRAM是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不断电，信息是不会丢失的。
DRAM是利用MOS电容储存电荷来储存信息的，所以需要不停地给电容充电来维持信息。

所以DRAM的成本，集成度和功耗都要明显优于SRAM。但是SRAM的速度非常快，但是他也很昂贵，一般在很苛刻的地方用，例如CPU的一级缓存和二级缓存。DRAM速度虽然不及SRAM，但是也比一般的ROM快，一般用于计算机内存。

除此之外，我们一般说的SDRAM（Synchronous DRAM）也是DRAM的一种，并不是什么S和D合体的RAM，它的中文名叫同步动态储存器，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号，常用于嵌入式系统中。

3. ROM

ROM具体分为PROM（Programmable ROM）、EPROM（Erasable PROM）和EEPROM（Electrically EPROM），分别为可编程ROM、可擦除可编程ROM和电子可擦除可编程ROM，其中三者的区别：

PROM是一次性的，也就是软件注入后，就无法修改了，属于早期的产品，现在已经基本不使用了。
EPROM是通过紫外光照射擦除原先的程序，是一种通用的储存器。
EEPROM是通过电子擦除、价格高、写入时间长、写入速度慢。

4. Flash（闪存）

最后一种是Flash，也称为闪存，也是一种非易失性储存器（Non-Volatile Memory（NVM）），它擦写方便，访问速度快，已经极大程度地取代了传统EPROM的地位。由于它的非易失性储存器的特性，很多人也称之为Flash ROM。它同时结合了RAM和ROM的优点，不仅具备电子可擦除可编程EEPROM的特性，在断电不丢失数据的同时，还可以快速的读取数据（NVRAM），通用在U盘和MP3之中。其也主要分为两种：

NOR Flash，其读取和我们常见的SDRAM读取类似，用户可以直接运行装载在NOR Flash中的代码。
NAND Flash，没有采取内存的随机读取技术，它的读取使用一次取一块来进行的，通常一次读取是512字节（bytes），采用这种技术的Flash比较廉价。因此很多使用了NAND Flash的开发板，还会用NOR Flash来运行启动代码。

通常而言，小容量的使用NOR Flash，因为其读取速度很快，多用来储存操作系统等重要信息；大容量的使用NAND Flash，最常见的NAND Flash应用是嵌入式系统采用的DoC（Disk-on-Chip）。